钽电容代理商浅谈AVX钽电容的温度特点
2020-10-29 17:00:15
AVX钽电容应用很广泛 ，作为钽电容代理商的我们，带你了解其温度特点。
钽电容器的电容随温度变化而发生变化。这种变化本身就是一个小的程度上依赖额定电压和电容的大小。在工作温度范围内，钽电容和铌电容的容量会随着温度的上升而上升。这是一个在电容器的能量损耗的测量，它表示为棕褐色，是电容器的功率损耗其无功功率分为一组指定的正弦电压频率。术语是功率因数，损耗因子和介电损耗。
耗散与温度的关系：
耗散系数随温度变化的典型曲线表演。这些地块是钽和OxiCap 相同电容器。耗散因数测量的切线损耗角（TAN），以百分比表示。测量DF 是开展测量桥梁供应一个0.5V RMS120Hz 的正弦信号，免费谐波与偏见2.2Vdc. DF 值是温度和频率依赖性。对于表面贴装产品所允许的最大DF 值表示的收视率表是很重要请注意，这些限额会见了由组件后基板上焊接。
耗散因数的频率依赖性：
随着频率的增加损耗因数所示钽和OxiCap 庐电容器的典型曲线相同的AVX 钽电容的阻抗（Z）。这是电流电压的比值，在指定的频率。三个因素促成了钽电容器的阻抗；半导体层的电阻电容价值和电极和引线电感。在高频率导致的电感成为一个限制因素。温度和频率的行为确定这三个因素的阻抗行为阻抗Z.阻抗是在25° C 和100kHz.
AVX 钽电容的等效串联电阻ESR：
阻力损失发生在一切可行的形式电容器。这些都是由几种不同的机制，包括电阻元件和触点，粘性势力内介质和生产旁路的缺陷电流路径。为了表达对他们的这些损失的影响视为电容的ESR. ESR 的频率依赖性和可利用的关系；ESR=谭δ2πfC 其中F是赫兹的频率，C 是电容法拉。ESR 是在25 ° C 和100kHz 的测量。ESR 是阻抗的因素之一，高频率就变成了主导因素。从而ESR和阻抗几乎相同，阻抗仅小幅走高。
钽电容器的电容随温度变化而发生变化。这种变化本身就是一个小的程度上依赖额定电压和电容的大小。在工作温度范围内，钽电容和铌电容的容量会随着温度的上升而上升。这是一个在电容器的能量损耗的测量，它表示为棕褐色，是电容器的功率损耗其无功功率分为一组指定的正弦电压频率。术语是功率因数，损耗因子和介电损耗。
耗散与温度的关系：
耗散系数随温度变化的典型曲线表演。这些地块是钽和OxiCap 相同电容器。耗散因数测量的切线损耗角（TAN），以百分比表示。测量DF 是开展测量桥梁供应一个0.5V RMS120Hz 的正弦信号，免费谐波与偏见2.2Vdc. DF 值是温度和频率依赖性。对于表面贴装产品所允许的最大DF 值表示的收视率表是很重要请注意，这些限额会见了由组件后基板上焊接。
耗散因数的频率依赖性：
随着频率的增加损耗因数所示钽和OxiCap 庐电容器的典型曲线相同的AVX 钽电容的阻抗（Z）。这是电流电压的比值，在指定的频率。三个因素促成了钽电容器的阻抗；半导体层的电阻电容价值和电极和引线电感。在高频率导致的电感成为一个限制因素。温度和频率的行为确定这三个因素的阻抗行为阻抗Z.阻抗是在25° C 和100kHz.
AVX 钽电容的等效串联电阻ESR：
阻力损失发生在一切可行的形式电容器。这些都是由几种不同的机制，包括电阻元件和触点，粘性势力内介质和生产旁路的缺陷电流路径。为了表达对他们的这些损失的影响视为电容的ESR. ESR 的频率依赖性和可利用的关系；ESR=谭δ2πfC 其中F是赫兹的频率，C 是电容法拉。ESR 是在25 ° C 和100kHz 的测量。ESR 是阻抗的因素之一，高频率就变成了主导因素。从而ESR和阻抗几乎相同，阻抗仅小幅走高。
